功率器件静态测试系统简介
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、纳安级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试,如输入电容、 输出电容、反向传输电容等。普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法灵活,能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

系统组成
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,主要包括测试主机、测试夹具、工控机、上位机软件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设置不同的电压、电流等参数,以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出,并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外,测试主机可与探针台搭配使用,实现晶圆级芯片测试;也可与热流仪、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。 测试主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,蕞大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至皮安级漏电流;集电极-发射极,蕞大支持3000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能;蕞高支持3500V电压输出,且自带漏电流测量功能。系统标配C-V测试功能,支持Ciss/Coss/Crss参数及曲线测试,频率默认1MHz。
igbt静态参数测试机igbt检测仪特点
高电压:支持高达3.5KV高电压测试;
大电流:支持高达2KA大电流测试;
高精度:支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试;
模块化设计:内部采用模块化配置,可添加或升级测量单元;
测试效率高:可自动切换、一键测试;
温度范围广:支持常温、高温测试;
兼容多种封装:根据测试需求可定制夹具;
系统参数
项目 | 参数 | |
集电极-发射极 | 蕞大电压 | 3500V |
蕞大电流 | 1000A(可拓展至2000A) | |
准确度 | ±0.1% | |
大电压上升沿 | 典型值5ms | |
大电流上升沿 | 典型值15μs | |
大电流脉宽 | 50μs~500μs | |
漏电流测试量程 | 1nA~100mA | |
栅极-发射极 | 蕞大电压 | 300V |
蕞大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
准确度 | ±0.05% | |
最小电压分辨率 | 30μV | |
最小电流分辨率 | 10pA | |
电容测试 | 典型精度 | ±0.5% |
频率范围 | 10Hz~1MHz | |
电容值范围 | 0.01pF~9.9999F | |
温控 | 范围 | 25℃~200℃ |
准确度 | ±2℃ | |
igbt静态参数测试机igbt检测仪测试项目
二极管:反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、 正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线
三极管:V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE,输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT:V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线
光耦(四端口以下):IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、 电流传输比CTR、隔离电容CIO

测试夹具
针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体,IGBT、SiC、MOS、GaN等产品,普赛斯提供整套测试夹具解决方案,可用于T0单管,半桥模组等产品的测试。






































