1、产品型号及名称:IGBT静态参数测试仪
3、VGE可达±100V;开启电压VGETH支持两种测试方法;
5、设备支持SI基,SIC材料的MOS管,IGBT单管及模块,二极管测试,晶闸管测试,
7、支持单点测试,I-V曲线扫描,还具有曲线对比功能;
9、安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。
测试参数:
IGESF 正向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
VGEON 通态栅极电压
整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用
基础能力:
2) 测试电流范围:0-±1600A
4) 电压分辨率:0.1mV
(1)Diode(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件)
(2)MOSFET(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件)
(3)IGBT单管及模块(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件)
<p helvetica="" neue",="" helvetica,="" arial,="" tahoma,="" "microsoft="" yahei",="" "pingfang="" sc",="" "hiragino="" sans="" gb",="" "heiti="" "wenquanyi="" micro="" hei",="" sans-serif;="" outline:="" none;="" background-color:="" rgb(255,="" 255,="" 255);="" line-height:="" 2em;"="" style="box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0); appearance: none; margin: 0px; padding: 0px; border-width: medium; border-style: none; border-color: currentcolor; border-image: initial; color: rgb(51, 51, 51);">静态参数:BVCES/集射极击穿电压,VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降;VCESAT/饱和压降,IGESR,IGESF 栅极漏电流
































